Modello: SAMSUNG SSD 990 EVO 1TB M.2 PCIE 4.0/5.0 NVME 2.0
Codice: MZ-V9E1T0BW
SAMSUNG SSD 990 EVO 1TB M.2 PCIE 4.0/5.0 NVME 2.0
Samsung 990 EVO. Capacità SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 5000 MB/s, Velocità di scrittura: 4200 MB/s, Componente per: Universale
DESCRIZIONE
SAMSUNG SSD 990 EVO 1TB M.2 PCIE 4.0/5.0 NVME 2.0
Samsung 990 EVO. Capacità SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 5000 MB/s, Velocità di scrittura: 4200 MB/s, Componente per: Universale
CARATTERISTICHE
Dimensioni e peso
Altezza (mm):
2.38
Larghezza (mm):
80.15
Peso (g):
9
Profondità (mm):
22.15
Tipo di imballo:
Box
Caratteristiche
Capacità SSD (GB):
1000
Classificazione per TBW:
600
criptaggio hardware:
true
Dimensione SSD:
M.2
Dimensioni dell'unità SSD M.2:
2280 (22 x 80 mm)
Linee dati dell'interfaccia PCI Express:
x4
NVMe:
true
Revisione PCI Express CEM:
4.0
Supporto TRIM:
true
Tipo memoria:
V-NAND TLC
Velocità di lettura (MB/s):
5000
Velocità di scrittura (MB/s):
4200
Versione di NVMe:
2.0
Processore
Componente per:
Universal
Gestione energetica
Consumo di energia (in lettura) (W):
4.9
Consumo di energia (in scrittura) (W):
4.5
Consumo energetico (in sospensione) (W):
0.005
Consumo energetico (inattivo) (W):
0.06
Tensione di esercizio (V):
3.3
Dettagli tecnici
Durata della garanzia (anno/i):
5
Connettività
Interfaccia:
PCI Express 4.0
Condizioni ambientali
Intervallo di temperatura:
-40 - 85 °C
Intervallo temperatura di funzionamento:
0 - 70 °C
Range di umidità di funzionamento:
5 - 95%
Shock di non-funzionamento (G):
1500
Umidità:
5 - 95%
Vibrazione di non-funzionamento (G):
20
Prestazione
Supporto S.M.A.R.T.:
true
Tempo medio tra guasti (MTBF) (h):
1500000